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SI7430DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：26A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：64W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7430DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：26A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：64W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7430DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：26A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1735pF @ 50V; 功率_最大：64W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
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SR151A510JARTR1
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RTHB-5050
线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc 3-SMD，扁平引线 EMI FILTER 500VAC 50A SCREW TERM
RT0402DRD0714KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 14.0K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SQCAEM0R7BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 0.7PF 150V 0605
SI4630DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
RT0805CRD0768K1L
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