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SI7135DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8650pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SI7135DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8650pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

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SRF1280-102M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 1000UH SMD
SSQ-144-02-T-S-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 44PS SGL R/A TIN
RYM08DRST-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD
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时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Silicon Laboratories Inc 100-TQFP IC CLK MULT JITTER ATTEN 100TQFP
SI7138DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC

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