SI5475DC-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI5475DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 5.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5475DC-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 5.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 732 OHM 1/4W 1% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 6.2PF 500V 1111
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 24POS DUAL GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 5.1PF 150V 0605
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 1.13K OHM METL FILM .40W 1%
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 1.47K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 75.0 OHM 1/4W 1% SMD 1206
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 11.3K OHM MET FILM .40W 1%
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 68PF 150V 2% 0605
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 26POS DUAL GOLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 205K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 6.8PF 500V 1111