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SI5447DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5447DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5447DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5447DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5447DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5447DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫欧 @ 3.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

STD03Y-X
标记 TE Connectivity MARKER SNAP-ON X 1.9-2.65MM YEL
SRS-2-975
电路板衬垫，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
SI5447DC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
SMAJ54AHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 54V 5% SMA
ST050PG2BPCF
压力 Honeywell Sensing and Control 圆柱型，金属 SENSOR GAGE 0-50 PSI
RT9261-27GX
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc TO-243AA IC REG BOOST 2.7V 60MA SOT89-3
SI2343CDS-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT-23
STD06W-0
标记 TE Connectivity MARKER SNAP-ON 0 2.6-3.5MM WHITE
SSA-114-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 3-SIP CONN RCPT .100" 14POS TIN WW R/A
ST083S08PFN0
SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-209AC，TO-94-4，接线柱 SCR INVERTER 800V 85A TO-94
RT9261-35GB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG BOOST 3.5V 60MA SOT23-5
SRS-2-985
电路板衬垫，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
STD06W-7
标记 TE Connectivity MARKER SNAP-ON 7 2.6-3.5MM WHITE
SMAJ54CA-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 54V BIDIR SMA
SSA-116-S-T
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 3-SIP CONN RCPT .100" 16POS TIN PCB

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