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SI4953ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4953ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4953ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4953ADY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4953ADY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4953ADY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

RZ-1215S
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 0.5W 12VIN 15VOUT
SI4952DY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 25V 8-SOIC
RT0805DRD07390RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 390 OHM 1/8W .5% SMD 0805
SR211A100JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10PF 100V 5% RADIAL
SRS-1-215
电路板衬垫，支座 Bivar Inc 非标准 SCREW SPACER PVC .215X.25 #4 GY
RTS-0509/HP
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 05VIN 09VOUT
RT0805CRD0718R7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 18.7 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RW0S6BBR470FET
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2010（5025 公制） RES .47 OHM .6W 2010 SMD
RZ-1505S/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 0.5W 15VIN 05VOUT
SR211A100KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10PF 100V 10% RADIAL
SRS-1-265
电路板衬垫，支座 Bivar Inc 非标准 SCREW SPACER PVC .265X.25 #4 GY
RTS-0512/H-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 05VIN 12VOUT
RW-1205S/SMD
DC DC Converters Recom Power 24-DIP SMD 模块（13 引线） CONV DC/DC 3W 9-18VIN 05VOUT
RZ-1512S
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 0.5W 15VIN 12VOUT
RT0805CRD0718RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 18.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805

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