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» 型号"SI4943BDY-T1-E3"的供应信息
SI4943BDY-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI4943BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
SI4943BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
SI4943BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®
SI4943BDY-T1-E3供应商
SI4943BDY-T1-E3
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
SI4943BDY-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507209
SI4943BDY-T1-E3
现代芯城(深圳)科技有限公司
0755-82542579
SI4943BDY-T1-E3
深圳兴中扬电子科技有限公司
0755-83747144
SI4943BDY-T1-E3
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
13528893675
SI4943BDY-T1-E3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SI4943BDY-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI4943BDY-T1-E3
深圳市富乐亚科技有限公司
0755-18503085
Si4943BDY-T1-E3
深圳市鑫远鹏科技有限公司
15112667855
SI4943BDY-T1-E3
深圳市春东电子有限公司
0755-82563615
SI4943BDY-T1-E3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
SI4943BDY-T1-E3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SI4943BDY-T1-E3.
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SI4943BDY-T1-E3
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
SI4943BDY-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-82569753
SI4943BDY-T1-E3
深圳市芯福林电子科技有限公司
0755-82574045
查看更多SI4943BDY-T1-E3的供应商
SR201A222JAR
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SI4936CDY-T1-GE3
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SFW4S-2STME1LF
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