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SI4906DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4906DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4906DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4906DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4906DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4906DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SHRLPAX0
配件 Red Lion Controls 径向，Can LPAX SHROUD
SR151C151KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 10% RADIAL
SRDB-20E33HR
DC DC Converters Bel Fuse Inc 12-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 20A 3.3V OUT SMD
RY-0912S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（5 引线） CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT
SI4906DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SMA5J8.0CAHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 8.0V 5% SMA
MMSZ5225B-TP
单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.0V SOD123
SSQ-129-03-S-S
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 29POS SNGL GOLD
SRF 55V02P MCC2
RFID IC Infineon Technologies MCC2 芯片卡模块 IC EEPROM 2KBIT INTELLIG MCC2-2
SMA5J8.5AHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 500W 8.5V 5% SMA
MMSZ5226B
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD-123
RY-0915D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（5 引线） CONV DC/DC 1W 09VIN +/-15VOUT
SR151C182KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1800PF 100V 10% RADIAL
SRF 55V02P Y1/0
RFID IC Infineon Technologies - IC EEPROM 2KBIT INTELLIG Y1.0-2
SSQ-130-03-G-S-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 30POS R/A SGL AU

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