SI4650DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
SI4650DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：剪切带 (CT)
SI4650DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 15V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
SI4654DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
SI4654DY-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
SI4654DY-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V
- 功率_最大：5.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
- 其它 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC DUAL FXS ANLG 48-QFN
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 300W 150V 5% SMA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 93.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- RF 放大器 Microchip Technology 6-UFQFN 裸露焊盘 IC RF PWR AMP WLAN LNA 6-QFN
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 100-TQFP 裸露焊盘 BOARD EVAL W/SI3205 INTERFACE
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 15V 5% SMA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 953 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- RF 放大器 Microchip Technology 8-XSON IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 8XSON
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） BOARD EVAL ISOLATED FOR SI3401
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 162 OHM 3W 1% WW 6227
0755-82731800 
755-23914055 
0755-83015506 
0755-82798529 
13510131896 
0755-82561519 
0755-82574045 
19520735817/1 
021-51872165/ 
0755-88291559 
18926544209/1 
13537790913 
13910052844（微 
