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SI4456DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5670pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4456DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5670pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4456DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5670pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4456DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5670pF @ 20V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4201-BM
RF 收发器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20MLP
SR212A7R5DAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 7.5PF 200V RADIAL
SI4456DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
MNR14E0ABJ683
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 1206
SM6S17AHE3/2D
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 17V 5% SMD DO-218AB
SST39VF802C-70-4I-MAQE-T
存储器 Microchip Technology 48-WFBGA IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48WFBGA
RT1206FRE07909RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 909 OHM 1/4W 1% SMD 1206
SI4210-EVB
过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4210
RTW0560RH
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 5V 60A 300W
MNR14E0ABJ750
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 75 OHM 4 RES 1206
SM6S20HE3/2D
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 20V 10% SMD DO-218AB
SST39WF1601-70-4C-MBQE-T
存储器 Microchip Technology 48-WFBGA IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48WFBGA
RT1220Q-103-M
芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 10K OHM TRIMMABLE 0805
SI4210-G-RF-EVB
过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300
RTW1212R
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 12V 12.5A 150W

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