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SI4398DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5620pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4398DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5620pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4398DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5620pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4398DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5620pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4396DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
MIC2555-1BML TR
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Micrel Inc 24-VFQFN 裸露焊盘，24-MLF? IC TXRX UTG USB BUS UNIV 24MLF
SG-636PCE 38.0000MC0
振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 38.0000MHZ SMD
RP-093.3S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 1W 09VIN 3.3VOUT
SIE822DF-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?（S） MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
RNF14FTD5K10
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 5.1K OHM 1% AXIAL
MF-USMF175-2
PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 1210（3225 公制），凹陷 FUSE PTC RESETTBL
SLPX331M220A3P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 220V 20% SNAP
SG-636PCE 38.0000MC0
振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 38.0000MHZ SMD
RP-093.3S/P/X2
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 1W 09VIN 3.3VOUT
RNF14FTD5K23
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 5.23K OHM 1% AXIAL
SIE832DF-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?（S） MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK
SLPX331M250A3P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP
MF-USMF175X-2
PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 1210（3225 公制），凹陷 FUSE PTC RESET 1.75A HLD SMD
SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS
振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 4.0000MHZ SMD

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