SI2327DS-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI2327DS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
SI2327DS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
SI2327DS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
SI2327DS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
SI2327DS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
SI2327DS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 200V SOT-23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:750mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB PLUG 37POS SLD CUP
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC BUFF/DVR NON-INVERT SOT23-5
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 10PF 500V 10% 1111
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH D-S 150V SOT-23
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC QUAD HI-SP DRVR LVDS 16-SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 21POS WALL MNT W/PINS
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFF/DVR NON-INVERT SC705
- 保险丝 - 电气,特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 100A 700V BLADE
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 15POS T/H GOLD
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFF/DVR NON-INVERT SC70-5
- 保险丝 - 电气,特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 80A 700V BLADE
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC QUAD HI-SP DRVR LVDS 16-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 100PF 500V 1% 1111
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 37POS T/H GOLD
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 100POS WALL MNT W/SCKT