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» 型号"SI2327DS-T1-E3"的供应信息
SI2327DS-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI2327DS-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:剪切带 (CT)
SI2327DS-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:Digi-Reel®
SI2327DS-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:380mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.35 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:750mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)
SI2327DS-T1-E3供应商
SI2327DS-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507209
SI2327DS-T1-E3
济南誉光微电电子科技有限公司
0531-88891493
SI2327DS-T1-E3
深圳市能元时代电子有限公司
0755-84502810
Si2327DS-T1-E3
深圳市集创讯科技有限公司
0755-83244680
SI2327DS-T1-E3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SI2327DS-T1-E3
深圳市富乐亚科技有限公司
0755-18503085
SI2327DS-T1-E3
深圳市春东电子有限公司
0755-82563615
SI2327DS-T1-E3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
SI2327DS-T1-E3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SI2327DS-T1-E3
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SI2327DS-T1-E3
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
SI2327DS-T1-E3
深圳市金芯阳科技有限公司
075584505750
SI2327DS-T1-E3
深圳诚思涵科技有限公司
0755-83015506
SI2327DS-T1-E3
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-9698
SI2327DS-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
SI2327DS-T1-E3
深圳市华斯顿科技有限公司
0755-83777607
查看更多SI2327DS-T1-E3的供应商
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