SI2323的供应信息|PDF资料|求购SI2323上51电子网

SI2323CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2323CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2323CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1090pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2323DS-T1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V SOT23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2323DS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1020pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SSW-143-01-S-S
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL GOLD
RT9179AGS
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO ADJ .5A 8SOP
SI2319DS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
STD02W-S
标记 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盘 WIRE & CABLE MARKERS
SMAJ48CHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 48V 10% SMA
SS-748806SC5-BB-PG4-BZ
模块 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
SRS-2-1.040
电路板衬垫，支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.04X.25 #6 GY
MP4-2U-2U-4QE-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SSW-143-02-T-S
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL TIN
STD02Y-5
标记 TE Connectivity PowerSO-10 裸露底部焊盘 MARKER SNAP-ON 5 1.4-1.8MM YELLW
SS-7488SC5-YG-PG4-BA
模块 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
SMAJ5.0
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 5.0V 400W UNIDIR SMD
MP4-2U-4EE-4LL-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SRS-2-1.115
电路板衬垫，支座 Bivar Inc SCREW SPACER PVC 1.115X.25 #6 GY
RT9183-12GGF
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc TO-261-4，TO-261AA IC REG LDO 1.2V 1.5A SOT223

SI2323 全国供应商、价格、PDF资料