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SI2316BDS-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

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SI2316BDS-T1-E3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V SOT-23
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 3.9A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V
功率_最大：1.66W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：带卷 (TR)

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