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SI2312BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2312BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2312BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2312BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2312BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2312BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SK16-LTP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
RT1206CRE0788R7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-820M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD
SR201A911GAATR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 910PF 100V 2% RADIAL
SI2309CDS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V SOT23-3
SFD66S40K491B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 40UF 660VAC QC TERM
SR121A221KARAP2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
SR155C392KAATR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK18-LTP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 80V SMB
SR201C103KAT
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL
SRR1280-101M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
SFF-018
缓冲器，支脚，焊盘，握把 Richco Plastic Co 径向，Can FAST FEET SOFT .39X.79" 305"DIA
SR121A331FAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 100V 1% RADIAL
SK220M025ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 22UF 25V 20% RADIAL
SR155C471KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL

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