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SI2307BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫欧 @ 3.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2307BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫欧 @ 3.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2307BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫欧 @ 3.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2307BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫欧 @ 3.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2307CDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：88 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2307CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：88 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SD18-R82-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 0.82UH SMD
RT0805FRE0742K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 42.2K OHM 1/8W 1% SMD 0805
SI2307BDS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
RT0805CRE0711R3L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 11.3 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RW-243.3S
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（8 引线） CONV DC/DC 3W 18-36VIN 3.3VOUT
MDM-31SH034F
D-Sub ITT Cannon MICRO 31POS SKT 8"
RNCF1206BTE150K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 150K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF14GTD4K30
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 4.3K OHM 1/4W 2% AXIAL
SD1A12D
信号，高达 2 A US Relays and Technology, Inc. - RELAY REED SPST 1A 12V
RW-243.3S/SMD
DC DC Converters Recom Power 24-DIP SMD 模块（13 引线） CONV DC/DC 3W 18-36VIN 3.3VOUT
RNCF1206BTE1K10
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 1.1K OHM 1/8W 0.1% 1206
MDM-31SSK
D-Sub ITT Cannon MICRO 31POS SKT SOLDER CUP
RT0805CRE0711RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 11.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RNF14GTD4K70
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 4.7K OHM 1/4W 2% AXIAL
SD2000C10L
二极管，整流器 Vishay Semiconductors DO-200AB，B-PUK DIODE STD REC 1000V 2100A B-PUK

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