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SI2306BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2306BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2306BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2306BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2306BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2306BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：305pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

VI-BN4-MU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
SI2306BDS-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
VI-B1L-IU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VI-B51-EX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
VI-B3Y-EV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
SL-128-TT-12
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 28POS TIN PCB
SI8231AB-B-IS1
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC HIGH/LOW SIDE DRIVER 16NSOIC
VI-BN4-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B0J-MY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-B3Y-EV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B51-EX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
SL-129-G-11
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 29POS GOLD PCB
SI8231BB-B-IS1
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC HIGH/LOW SIDE DRIVER 16SOIC
VI-BN4-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B0K-CY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W

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