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SI2304BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2304BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2304BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2304BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2304BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2304BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 15V; 功率_最大：750mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SPP15P10P
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
SN74LVC1G04DRYR
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 6-UFDFN IC SINGLE INVERTER GATE 6-SON
SDR7045-151K
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 150UH 620MA SMD
SN75LVCP412ARTJT
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-WFQFN 裸露焊盘 IC REDRIVER 2CH SATA 3GBS 20QFN
SI2304BDS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
MS27497E20B2P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/PINS
SQCB7A4R7BATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SN74LVC1G04DSF2
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 6-XFDFN IC INVERTER GATE SGL 6SON
SPP15P10PL H
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
SN75LVCP422DBR
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REPEATER 2CH SATA 3GBS 20SSOP
MS27497E20B2S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/SCKT
SQCB7A4R7CATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SPP20N65C3
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
SN74LVC1G04YEAR
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 5-XFBGA，WLCSP IC SINGLE INVERTER GATE 5-DSBGA
SDR-D
标记 3M 非标准 SCOTCH CODE REFILL D

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