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SI2303BDS-T1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V SOT23; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2303BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2303BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2303BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2303BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 1.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 15V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2303CDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：155pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

VI-B0J-IX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
SI2303BDS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
VI-B1L-EX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
SI7960DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
VI-B51-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SL-124-T-12
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
VI-B0J-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-B1L-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-B51-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SI7980DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 8-SOIC
SL-125-G-12
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 25POS GOLD PCB
VI-B0J-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W

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