SI1902DL-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI1902DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1902DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1902DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1902DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1902DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
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- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1902DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:660mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:385 毫欧 @ 660ma,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:270mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 10UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1800PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 1% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 3UF 660VAC QC TERM
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE SCHOTTKY 50V 1.0A DO-41
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 54.9K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 100UH 1.7A SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 2% RADIAL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 100UF 200V 20% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 3UF 660VAC QC TERM
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE SCHOTTKY 1A 80V DO41
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 562 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 12UH 5.2A SMD
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 1000UF 50V 20% RADIAL