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SI1305DL-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：剪切带 (CT)

SI1305DL-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：带卷 (TR)

SI1305DL-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：Digi-Reel®

SI1305DL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：剪切带 (CT)

SI1305DL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：Digi-Reel®

SI1305DL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：860mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：290mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：带卷 (TR)

SS-5H-2.5A-AP
保险丝 Cooper Bussmann FUSE 2.5A 250V RADIAL
SMAJ33CA-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BIDIRECT SMA
SI1303DL-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
SMA5J14CAHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 14V 5% SMA
SSW-109-02-S-D-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18PS DL R/A GOLD
RT8802AGQV
PMIC - 稳压器 - 专用型 Richtek USA Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM MULTI-PHASE 40VQFN
SI5017-D-GM
时钟/计时 - 专用 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK/DATA RECOVERY 28MLP
MP4-2E-1E-1N-4LN-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SMAJ33CA-TR
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BI-DIR DO-214AC
RT8802AGQV
PMIC - 稳压器 - 专用型 Richtek USA Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR PWM MULTI-PHASE 40VQFN
SSW-110-02-G-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD
SS-5H-3.15A-AP
保险丝 Cooper Bussmann FUSE 3.15A 250V RADIAL
SI5017-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 BOARD EVALUATION FOR SI5017
MP4-2E-1E-1Q-4LL-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SMAJ33CA-TR
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TVS 400W 33V BI-DIR DO-214AC

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