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SI1016X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SI1016X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1016X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1016X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1016X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1016X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：485mA，370mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 600mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SFSD-20-28-H-10.00-DR-NUS
矩形 Samtec Inc 径向，Can - QC 端子 CABLE ASSY SOCKET 40POS 28AWG
VI-BN3-IU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W
SI1013R-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
VJ1206Y221KXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 220PF 250V 10% X7R 1206
SJ1-3514-SMT
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 4POS 3.5MM SMD
VI-B4V-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B5B-MU-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
SFSD4096L1BN2TO-I-Q2-151-STD
存储器，PC 卡 Swissbit NA Inc 径向，Can - QC 端子 FLASH SECURE DGTL CARD SD 4G
VI-BN3-IV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W
VI-B7R-CY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
SJ1-3515-SMT-BE
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM SMD
VI-B4V-IX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B5B-MU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
VI-BN3-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W
SFT1202-E
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA TRANS NPN BIPO 2A 150V TP

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