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SGH10N60RUFDTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT SHORT CIRC 600V 10A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，10A

电流_集电极333Ic444（最大）：16A

功率_最大：75W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

SGH15N60RUFDTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，15A

电流_集电极333Ic444（最大）：24A

功率_最大：160W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

SGH15N60RUFTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，15A

电流_集电极333Ic444（最大）：24A

功率_最大：160W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

SGH20N60RUFDTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，20A

电流_集电极333Ic444（最大）：32A

功率_最大：195W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3PN

包装：管件

SGH23N60UFDTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.6V @ 15V，12A

电流_集电极333Ic444（最大）：23A

功率_最大：100W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P

包装：管件

SGH30N60RUFDTU详细规格

类别：IGBT - 单路

描述：IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

IGBT类型：-

电压_集电极发射极击穿（最大）：600V

VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，30A

电流_集电极333Ic444（最大）：48A

功率_最大：235W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3PN

包装：管件