

RSS090N03FU6TB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:Digi-Reel®
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- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:剪切带 (CT)
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- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
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- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
RSS090P03TB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:剪切带 (CT)
RSS090P03TB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOP
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB,SMC DIODE GPP 5A 50V SMD
- 线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc DO-214AB,SMC EMI FILTER 250VAC 30A SCREW TERM
- 拨动开关 NKK Switches DO-214AB,SMC SW TOGGLE DPDT 15A SOLDER LUG
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 483-BCBGA,FCCBGA IC MPU RISC 1267MHZ 483FCCBGA
- FET - 单 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TERM BARRIER 15CIRC DUAL ROW
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 2.8K OHM 1/10W .5% 0805 SMD
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB,SMC RECTIFIER GPP SMD 100V 5A SMC
- 系列间适配器电缆 Tripp Lite DO-214AB,SMC CABLE SCSI VHDCI68M/HD68M 10’
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 483-BCBGA,FCCBGA IC MPU RISC 733MHZ 483FCCBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 280K OHM 1/10W .1% 0805 SMD
- 晶体 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AB,SMC DIODE GPP 5A 100V SMC
- D形,Centronics Tripp Lite DO-214AB,SMC CABLE SCSI ULTRA 2 VHDCI68M/M10’
- TVS - 二极管 Rohm Semiconductor 2-SMD,扁平引线 DIODE ZENER BIDIR 500MW TUMD2