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- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:Digi-Reel®
 
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- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:剪切带 (CT)
 
RSS090N03FU6TB详细规格
- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:带卷 (TR)
 
RSS090P03FU6TB详细规格
- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:带卷 (TR)
 
RSS090P03TB详细规格
- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:剪切带 (CT)
 
RSS090P03TB详细规格
- 类别:FET - 单
 - 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
 - 系列:-
 - 制造商:Rohm Semiconductor
 - FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
 - FET特点:逻辑电平门
 - 漏极至源极电压333Vdss444:30V
 - 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
 - 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 9A,10V
 - Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
 - 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
 - 输入电容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 10V
 - 功率_最大:2W
 - 安装类型:表面贴装
 - 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 - 供应商设备封装:8-SOP
 - 包装:带卷 (TR)
 
 
	
		- 单二极管/整流器    Diodes Inc    DO-214AB,SMC    DIODE GPP 5A 50V SMD
 
		- 线路滤波器    TDK-Lambda Americas Inc    DO-214AB,SMC    EMI FILTER 250VAC 30A SCREW TERM
 
		- 拨动开关    NKK Switches    DO-214AB,SMC    SW TOGGLE DPDT 15A SOLDER LUG
 
		- 嵌入式 - 微处理器    Freescale Semiconductor    483-BCBGA,FCCBGA    IC MPU RISC 1267MHZ 483FCCBGA
 
		- FET - 单    Rohm Semiconductor    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)    MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
 
		- 接线座 - 隔板块    Curtis Industries    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)    TERM BARRIER 15CIRC DUAL ROW
 
		- 芯片电阻 - 表面安装    Susumu    0805(2012 公制)    RES 2.8K OHM 1/10W .5% 0805 SMD
 
		- 单二极管/整流器    Diodes Inc    DO-214AB,SMC    RECTIFIER GPP SMD 100V 5A SMC
 
		- 系列间适配器电缆    Tripp Lite    DO-214AB,SMC    CABLE SCSI VHDCI68M/HD68M 10’
 
		- 嵌入式 - 微处理器    Freescale Semiconductor    483-BCBGA,FCCBGA    IC MPU RISC 733MHZ 483FCCBGA
 
		- 芯片电阻 - 表面安装    Susumu    0805(2012 公制)    RES 280K OHM 1/10W .1% 0805 SMD
 
		- 晶体    EPSON    4-SOJ,5.08mm 间距    CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD
 
		- 单二极管/整流器    Vishay General Semiconductor    DO-214AB,SMC    DIODE GPP 5A 100V SMC
 
		- D形,Centronics    Tripp Lite    DO-214AB,SMC    CABLE SCSI ULTRA 2 VHDCI68M/M10’
 
		- TVS - 二极管    Rohm Semiconductor    2-SMD,扁平引线    DIODE ZENER BIDIR 500MW TUMD2