RN1406 全国供应商、价格、PDF资料

RN1406S,LF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：S-Mini

包装：剪切带 (CT)

RN1406S,LF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：S-Mini

包装：Digi-Reel®

RN1406S,LF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：200mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：S-Mini

包装：带卷 (TR)

RN1406T5LFT详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k

电阻器_发射极333R2444（欧）：47k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：250MHz

功率_最大：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：S-Mini

包装：带卷 (TR)