PZTA64 全国供应商、价格、PDF资料

PZTA64详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR GP PNP 30V SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：125MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：Digi-Reel®

PZTA64详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR GP PNP 30V SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：125MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：带卷 (TR)

PZTA64详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR GP PNP 30V SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：125MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：剪切带 (CT)