PVR100AZ-B3V3 全国供应商、价格、PDF资料

PVR100AZ-B3V3,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：IC REG VOLT 3.3V SOT-223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN + 齐纳

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V

功率_最大：550mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)

PVR100AZ-B3V3,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：IC REG VOLT 3.3V SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN + 齐纳

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V

功率_最大：550mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：剪切带 (CT)

PVR100AZ-B3V3,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：IC REG VOLT 3.3V SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN + 齐纳

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V

功率_最大：550mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：Digi-Reel®