PSMN009-100B,118详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：156nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
PSMN009-100B,118详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：156nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
PSMN009-100B,118详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：156nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
PSMN009-100B,118详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：156nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
PSMN009-100P,127详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：156nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8250pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
PSMN009-100W,127详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：214nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 300V 150A MS-013
- 矩形- 接头，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） CONN FMALE 10POS DL .1" R/A GOLD
- AC DC 桌面、壁式变压器 PHIHONG USA 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） ADAPTER WALL R-SERIES 15W 7.5V
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 549K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc 0805（2012 公制） CONN BARRIER STRIP 18CIRC 8.25MM
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing 0805（2012 公制） PANEL FRONT 19X13.9X1.7" BLACK
- 热缩管 Qualtek 0805（2012 公制） HEATSHRINK 1 1/4"-48" BLACK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） SIDAC SYM 3CHP 300V 100A MS013
- AC DC 桌面、壁式变压器 PHIHONG USA 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） ADAPTER WALL R-SERIES 15W 7.5V
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 54.9K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.1UF 1KVDC RADIAL
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc 径向 CONN BARRIER STRIP 4CIRC 8.25MM
- 热缩管 Qualtek 径向 HEATSHRK POLY Q2Z 1/16"X100’ BLK
- AC DC 桌面、壁式变压器 PHIHONG USA 径向 ADAPTER WALL R-SERIES 15W 9V
- 矩形- 接头，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 径向 CONN FMALE 12POS DL .1" GOLD SMD
0755-23612326 
0755-84507209 
0755-83798683 
19166203057 
0755-18503085 
755-83229865 
15821228847 / 
15914072177 
0755-82732291 
021-51872165/ 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-83747144 
0755-28904429 
17876146278/1 
