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PIC10F202-E/MC详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 8DFN; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：8-VFDFN 裸露焊盘; 包装：管件

PIC10F202-E/P详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 8DIP; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）; 包装：管件

PIC10F202-I/P详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 8DIP; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）; 包装：管件

PIC10F202T-E/OT详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 SOT23-6; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：SOT-23-6; 包装：带卷 (TR)

PIC10F202T-I/MC详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 8DFN; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：8-VFDFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

PIC10F202T-I/OT详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC PIC MCU FLASH 512X12 SOT23-6; 系列：PIC® 10F; 制造商：Microchip Technology; 核心处理器：PIC; 核心尺寸：8-位; 速度：4MHz; 连接性：-; 外设：POR，WDT; I/O数：3; 程序存储容量：768B（512 x 12）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：-; RAM容量：24 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：SOT-23-6; 包装：带卷 (TR)

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