PEMH1,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：22k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
PEMH10,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
PEMH11,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
PEMH11,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
PEMH11,315详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
PEMH13,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
- 评估演示板和套件 Kyocera Display America, Inc. TO-220-3 整包 TOOLKIT TFT 12.1" XGA
- DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 270UF 10V 20% RADIAL
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 2.2UF 250V 20% RADIAL
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 LOADSWITCH PNP 12V 500MA SOT666
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 IC REG LDO 3.15V .2A 5-SOT
- DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 5V 125W
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-UFBGA，DSBGA IC REG LDO 3.15V .2A 5-DSBGA
- DC DC Converters Vicor Corporation 模块 CONVERTER MOD DC/DC 5V 125W
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SSOP
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 56UF 16V 20% RADIAL
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 TRANS NPN/NPN W/RES 50V SOT666
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-UFBGA，DSBGA IC REG LDO 3.2V .2A 5-DSBGA
0755-83202411 
0755-23612326 
0755-82569753 
0755-22655674 
18927479189 
19166203057 
010-62962871、 
0755-82533534 
0755-83777708 
0755-18503085 
0512-67241533 
13410941925 
18026926850/0 
18926544209/1 
0755-83242658 
0755-23991909 
