PEMD30 全国供应商、价格、PDF资料

PEMD30,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS NPN/PNP W/RES 50V SOT666

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：1µA

频率_转换：-

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-666

包装：带卷 (TR)

PEMD30,315详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

描述：TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-666

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k

电阻器_发射极333R2444（欧）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：1µA

频率_转换：-

功率_最大：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-666

包装：带卷 (TR)