PDTC114ET,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
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- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
PDTC114ET,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
PDTC114ET,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：230MHz
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
PDTC114ET,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：230MHz
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
PDTC114ET,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：1µA
- 频率_转换：230MHz
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，轴向 TVS UNIDIR 500W 10V 10% DO-15
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP IC PIC MCU FLASH 128KB 80-TQFP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
- 加速计 Murata Electronics North America 8-SMD ACCELEROMETER SNGL 1.5G DIL8 SMD
- RF 混频器 NXP Semiconductors 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MIXER FM IF SYSTEM LP 20-SSOP
- LED - 高亮度，电源 Cree Inc 8-SMD，鸥翼型 LED XLAMP WHITE 320LM 7X7 SMD
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 1W 3.3VIN 05VOUT
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，轴向 TVS UNIDIR 500W 12V 10% DO-15
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP MCU PIC 128K FLASH XLP 80TQFP
- 加速计 Murata Electronics North America 8-SMD ACCELEROMETER SNGL 1.0G DIL8 SMD
- RF 混频器 NXP Semiconductors 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC MIXER FM IF SYSTEM LP 20-SSOP
- LED - 高亮度，电源 Cree Inc 8-SMD，鸥翼型 LED COOL WHITE 370LM 7X7 SMD
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 1W 3.3VIN 05VOUT
- 嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP IC MCU 8BIT 128KB FLASH 80TQFP
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，轴向 DIODE TVS 15V 500W 5% UNI AXL
0755-18503085 
18674491576 
0755-83202411 
0755-28904429 
19166203057 
0755-23915992 
18026926850/0 
0755-82569753 
0755*83682918 
0755-88917652 
0755-84507209 
0755-83051566 
18026926850/0 
0755-82524712 
0755- 8251939 
