PD85025S-E 全国供应商、价格、PDF资料
PD85025S-E详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：TRANS RF POWER LDMOST N-CH
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：870MHz
- 增益：17.3dB
- 电压_测试：13.6V
- 额定电流：7A
- 噪音数据：-
- 电流_测试：300mA
- 功率_输出：10W
- 电压_额定：40V
- 封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商设备封装：PowerSO-10RF（直引线）
- 包装：管件
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 1POS STRAIGHT W/SCKT
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 15UH SMD
- 陶瓷 Vishay Beyschlag 轴向 CAP CER 1000PF 14KV 20% CHASSIS
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 976 OHM 1W .1% 1206
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 1.25UH SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Riedon 0805（2012 公制） RES 1K OHM 1/4W 5% 0805
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 18UH SMD
- 陶瓷 Vishay Beyschlag 轴向 CAP CER 500PF 14KV 10% CHASSIS
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 2512（6432 公制） RES 1.00K OHM 2.5W .1% 2512
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 6.5UH SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Riedon 0805（2012 公制） RES 1 OHM 1/4W 5% 0805
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
171-4729-9698 
0755-/8321846 
010-62104931、 
13910052844（微 
0755-22929859 
010-62104931、 
13910052844（微 
0755-23607529 
