PBSS4350S,126详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 50V 3A LOW SAT TO92
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：3A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：290mV @ 200mA，2A
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 2A，2V
- 功率_最大：830mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带盒（TB）
PBSS4350SPN,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列
- 描述：TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2.7A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：340mV @ 270mA，2.7A / 370mV @ 270mA，2.7A
- 电流_集电极截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，2V / 180 @ 1A，2V
- 功率_最大：750mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
PBSS4350SPN,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列
- 描述：TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2.7A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：340mV @ 270mA，2.7A / 370mV @ 270mA，2.7A
- 电流_集电极截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，2V / 180 @ 1A，2V
- 功率_最大：750mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
PBSS4350SPN,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列
- 描述：TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2.7A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：340mV @ 270mA，2.7A / 370mV @ 270mA，2.7A
- 电流_集电极截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，2V / 180 @ 1A，2V
- 功率_最大：750mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
PBSS4350SS,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列
- 描述：TRANS ARR 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2.7A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：340mV @ 270mA，2.7A
- 电流_集电极截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，2V
- 功率_最大：2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
PBSS4350SS,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列
- 描述：TRANS ARR 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2.7A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：340mV @ 270mA，2.7A
- 电流_集电极截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 1A，2V
- 功率_最大：2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Microsemi SoC 484-BGA IC FPGA PIGEON POINT 484-FBGA
- 端子 - 铲形 Panduit Corp 6-SMD，无引线（DFN，LCC） TERM FORK NON INS 16-14AWG
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors 3-UDFN 裸露焊盘 TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 16POS
- 其它 International Rectifier IGBT 330V 40A 78W DPAK
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 1UF 3KVDC QC TERM
- 评估演示板和套件 Omron Electronics Inc-EMC Div 484-BGA DVI EVAL BOARD - MINI MODULE
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 50MHZ SGL 8SOIC
- 端子 - 环形 Panduit Corp 6-SMD，无引线（DFN，LCC） TERM RING NON-INSULATED 16-14AWG
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向，Can - QC 端子 TRANSFORMER 0-PHASE CURRENT 100A
- 评估演示板和套件 Omron Electronics Inc-EMC Div 484-BGA DVI EVAL BOARD - DATA MODULE
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220AB
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 50MHZ SGL 8SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 50V 2A SOT23
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
19166203057 
13510131896 
0755-23306107 
0755-82780082 
13711580601 
0755-82533534 
13910052844（微 
0755-84507209 
0755-82574045 
0755-83015506 
0755-22929859 
0755-83777708 
0755-83223003 
0755-89697985 
18674491576 
