PBSS303NX 全国供应商、价格、PDF资料

PBSS303NX,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 5.1A SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5.1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 255mA，5.1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2A，2V

功率_最大：2.1W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：Digi-Reel®

PBSS303NX,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 5.1A SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5.1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 255mA，5.1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2A，2V

功率_最大：2.1W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：剪切带 (CT)

PBSS303NX,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 5.1A SOT-89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5.1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 255mA，5.1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2A，2V

功率_最大：2.1W

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)