PBRN113ZT 全国供应商、价格、PDF资料

PBRN113ZT,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS NPN W/RES 40V SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

电阻器_基极333R1444（欧）：1k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：500 @ 300mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.15V @ 8mA，800mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

PBRN113ZT,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS NPN W/RES 40V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

电阻器_基极333R1444（欧）：1k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：500 @ 300mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.15V @ 8mA，800mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：剪切带 (CT)

PBRN113ZT,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

描述：TRANS NPN W/RES 40V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

电阻器_基极333R1444（欧）：1k

电阻器_发射极333R2444（欧）：10k

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：500 @ 300mA，5V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.15V @ 8mA，800mA

电流_集电极截止（最大）：500nA

频率_转换：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：Digi-Reel®