NZT751 全国供应商、价格、PDF资料

NZT751详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP CR DVR 60V 4A SOT223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 2A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：75MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：带卷 (TR)

NZT751详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP CR DVR 60V 4A SOT223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 2A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：75MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：剪切带 (CT)

NZT751详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP CR DVR 60V 4A SOT223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 2A，2V

功率_最大：1.2W

频率_转换：75MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-4

包装：Digi-Reel®