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NTP75N03-006详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 37.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5635pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

NTP75N03-6G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CHAN 30V TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫欧 @ 37.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5635pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

NTP75N03L09详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 37.5A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5635pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

NTP75N03L09G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 37.5A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5635pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

NTP75N03R详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1333pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

NTP75N03RG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1333pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

TAP685K010BRW
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 6.8UF 10V 10% RADIAL
T322C226K006AT
钽 Kemet 轴向 CAP TANT 22UF 6V 10% AXIAL
NTE0505MEC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP SMD 模块（8 引线） CONV DC/DC SM 1W 5VIN 5VOUT SGL
TLC7524CFN
数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 20-LCC（J 形引线） IC DAC 8 BIT MULTIPLYING 20-PLCC
NTP75N03L09
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
TNPW25123K57BEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 3.57K OHM 1/2W 0.1% 2512
TAP685K010CCS
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 6.8UF 10V 10% RADIAL
T322C685K025AS
钽 Kemet 轴向 CAP TANT 6.8UF 25V 10% AXIAL
NTE4153NT1G
FET - 单 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
TAP685K016BRC
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 6.8UF 16V 10% RADIAL
TNPW25123K57BETG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 3.57K OHM 1/2W 0.1% 2512
T322C685K025AT
钽 Kemet 轴向 CAP TANT 6.8UF 25V 10% AXIAL
NTE4153NT1G
FET - 单 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
NTP75N06L
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
TLC7524EN
数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC DAC 8 BIT MULTIPLYING 16-DIP

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