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NTD4810N-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4810N-35G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4810NH-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4810NH-35G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4810NHT4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

NTD4810NT4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

MICRF620Z TR
RF 收发器 Micrel Inc 模块 IC RF MOD 430-440MHZ 11.5X14.1MM
NPIC6C595D-Q100,11
逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
NTD4810N-1G
FET - 单 ON Semiconductor TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
NSD914XV2T1G
单二极管/整流器 ON Semiconductor SC-79，SOD-523 DIODE SW 120MW 100V HS SOD523
NCP1054ST136T3G
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NE521DR2G
线性 - 比较器 ON Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
NPIC6C595D-Q100,11
逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors * IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
MICRO-DEMOBOARD1
过时/停产零件编号 Atmel BOARD DEMO FOR T89/RC2/RD2/IC2
NCP1054ST44T3
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NSE10DH127
编码器 C&K Components SOT-563，SOT-666 ENCODER MECHANICAL HORZ PCB 7MM
NE521NG
线性 - 比较器 ON Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC COMPARATOR/SENSE AMP 14-DIP
NPIC6C596PW,118
逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16TSSOP
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
P51-200-A-B-I12-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 1/8-27NPT 4-20MA

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