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NTD4809N-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4809N-35G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4809NA-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4809NA-35G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD4809NAT4G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

NTD4809NH-1G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2155pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NCP1053ST136T3
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NPH25S2405IC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模块 CONV DC/DC 25W 24VIN 5.1VOUT DIP
NX5032GB-12MHZ-STD-CSK-5
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 12.000 MHZ 8 PF SMD
NE25139-T1
RF FET CEL TO-253-4，TO-253AA FET 900 MHZ SOT-143
NTD4808NT4G
FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
MICRF600Z TR
RF 收发器 Micrel Inc 模块 TXRX ISM 902-928MHZ 11.5X14.1MM
P51-200-A-AF-P-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 9/16-18 UNF 4-20MA
NSD4
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann Cylindrical，Blade Terminal（Alternating） FUSE 4A 550V BS88 IEC HRC BLADE
NCP1053ST44T3G
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
MICRF620Z
RF 收发器 Micrel Inc 模块 IC RF MOD 430-440MHZ 16-MOD1114Q
P51-200-A-A-I36-4.5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
NPH25S4805EIC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模块 CONV DC/DC 25W 48VIN 5.1VOUT DIP
NSD914F3T5G
单二极管/整流器 ON Semiconductor SOT-1123 IC DIODE SW HS 100V SOT-1123
NCP1054P100G
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 ON Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 IC CONV PWM UVLO HV 8PDIP

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