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NTD110N02R-001详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：24V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3440pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

NTD110N02R-001G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：24V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3440pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

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