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NSTB1002DXV5T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，200mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，40V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

NSTB1002DXV5T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，200mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，40V; 电阻器_基极333R1444（欧）：47k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：250MHz; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-553; 供应商设备封装：SOT-553; 包装：带卷 (TR)

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