NSS60601MZ4T1G 全国供应商、价格、PDF资料

NSS60601MZ4T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 600mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1A，2V

功率_最大：800mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：Digi-Reel®

NSS60601MZ4T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 600mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1A，2V

功率_最大：800mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)

NSS60601MZ4T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 600mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1A，2V

功率_最大：800mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：剪切带 (CT)