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NSS40601CF8T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：6A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：135mV @ 400mA，4A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：140MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

NSS40601CF8T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：6A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：135mV @ 400mA，4A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：140MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

NSS40601CF8T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：6A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：40V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：135mV @ 400mA，4A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：140MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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