NSBC124EPDXV6T1的供应信息|PDF资料|求购NSBC124EPDXV6T1上51电子网

NSBC124EPDXV6T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

NSBC124EPDXV6T1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBC124EPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：Digi-Reel®

NSBC124EPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

NSBC124EPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBC124EPDXV6T1供应商

NSBC124EPDXV6T1G 上海鑫丰电子技术有限公司 021-51875986/
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市昭兴微电子有限公司 0755-23991909
NSBC124EPDXV6T1G 北京元坤国际科技有限公司 010-62104931、
NSBC124EPDXV6T1G 深圳斯普仑科技有限公司 18052283398
NSBC124EPDXV6T1 深圳市晨豪科技有限公司 0755-82732291
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市百润电子有限公司 17876146278/1
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市泰坦光电子有限公司 15889522512
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市华斯顿科技有限公司 0755-83777708
NSBC124EPDXV6T1 深圳市恒意法电子有限公司 18026926850/0
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市徕派德电子有限公司 0755-33211351
NSBC124EPDXV6T1 艾睿（深圳）半导体有限公司 15813737183
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市春涛电子有限公司 0755-82563615
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市科恒伟业电子有限公司 0755-83200050
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市金镇发科技有限公司 0755-83515980
NSBC124EPDXV6T1G 深圳市翔哲科技有限公司 18026926850/0

查看更多NSBC124EPDXV6T1的供应商

NOJB226M010RWB
氧化铌 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
P1168.683NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
NOJD477M002RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917
MGA-665P8-BLK
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC
MIC2185YQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
NP50P04SDG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJB226M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
NOJF157M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
MGA-68563-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJC107M002SWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312

NSBC124EPDXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料

NSBC124EPDXV6T1详细规格

NSBC124EPDXV6T1详细规格

NSBC124EPDXV6T1G详细规格

NSBC124EPDXV6T1G详细规格

NSBC124EPDXV6T1G详细规格

NSBC124EPDXV6T1供应商