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NSBC115EDXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料

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NSBC115EDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：100k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：100k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

NSBC115EDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：100k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：100k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

NSBC115EDXV6T1供应商

NSBC115EDXV6T1G 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
NSBC115EDXV6T1G 深圳市恒昌弘科技有限公司 17324435169
NSBC115EDXV6T1G 深圳市金亿泰电子有限公司 755-83252273
NSBC115EDXV6T1 深圳市华创欧科技有限公司 0755-23945755
NSBC115EDXV6T1G 深圳市艾睿联创电子科技有限公司 15217722163
NSBC115EDXV6T1G GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD 13910052844（微
NSBC115EDXV6T1G 上海专毅电子科技有限公司 17621633780
NSBC115EDXV6T1G 北京显周科技有限公司 13910052844（微
NSBC115EDXV6T1 上海熠富电子科技有限公司 15026993318 /
NSBC115EDXV6T1 上海熠富电子科技有限公司 15821228847 /
NSBC115EDXV6T1G 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
NSBC115EDXV6T1 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
NSBC115EDXV6T1G 深圳市芯泽盛世科技有限公司 0755-89697985
NSBC115EDXV6T1G 深圳市耿芯泰电子科技有限公司 0755-83089867
NSBC115EDXV6T1 深圳斯普仑科技有限公司 18052283398
NSBC115EDXV6T1G 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674

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P51-2000-S-U-I12-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 2000PSIS 7/16 5V 12"
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PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 4-UDFN 裸露焊盘，4-TMLF? IC REG LDO 2.85V .2A 4TMLF
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NTCSMELFE3203JT
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NX5032GA 10MHZ AT-W
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