NSBC114TDXV6 全国供应商、价格、PDF资料
NSBC114TDXV6T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBC114TDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:Digi-Reel®
NSBC114TDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
NSBC114TDXV6T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBC114TDXV6T5详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
NSBC114TDXV6T5G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology 模块,连接器 SWITCH PHOTOLOGIC OPTICAL FLAG
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 1568LUTS 221I/O 256BGA
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD,鸥翼型 PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN
- PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER PHOTODARL 6SMD
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
- 支架 - 元件 Bud Industries TO-3-8 PANEL ALUMINUM 19" WHITE TEXTURE
- 光学 - 反射式 - 模拟输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 2592LUTS 288I/O 256BGA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-VQFN 裸露焊盘 IC OPAMP LIMIT DIFF 4.5GHZ 16QFN
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER DARL-OUT 6-SMD
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- 支架 - 元件 Bud Industries TO-3-8 PANEL ALUMINUM 19" BLK TEXTURED
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD,鸥翼型 PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN