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NSBA114EDXV6T5详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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NSBA114EDXV6T5 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
NSBA114EDXV6T5G 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674
NSBA114EDXV6T5G 深圳市泰坦光电子有限公司 15889522512
NSBA114EDXV6T5G 深圳市世品佳电子有限公司 0755-/8321846
NSBA114EDXV6T5G 北京显周科技有限公司 13910052844（微
NSBA114EDXV6T5G 深圳斯普仑科技有限公司 18052283398
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实心管，套管 Alpha Wire 01005（0402 公制） TUBING PTFE .258" ID 100’ CLR
SS4-4
电路板衬垫，支座 Richco Plastic Co 4-SIP SPACER RND PLAST #4SCREW 1/2"
TL431QPK
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-243AA IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-89-3
NSB8DTHE3/45
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE GPP 8A 200V PLAST TO263AB
NSB8JT-E3/45
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE GPP 8A 600V PLAST TO263AB
TK50E06K3(S1SS-Q)
FET - 单 Toshiba MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
SSA-126-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 26POS TIN WW R/A
SS441A-L
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR UNIPOL HALL-EFFECT DGTL
TFT20022 NA005
实心管，套管 Alpha Wire 01005（0402 公制） TUBING PTFE .026" ID 100’ CLR
NSBA114TDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SSA-127-S-G
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS GOLD PCB
TK5A45DA(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
SS441A-S
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-262-3短引线，I²Pak SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
TFT20030 NA005
实心管，套管 Alpha Wire 01005（0402 公制） TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR
TL432AQDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

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