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NP50P04SDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -40V -50A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：Digi-Reel®

NP50P04SDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -40V -50A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：带卷 (TR)

NP50P04SDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -40V -50A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：剪切带 (CT)

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HVR3700007154FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 7.15M OHM METAL FILM .50W 1%
P6KE120CA-E3/54
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，轴向 TVS 600W 120V 5% BIDIR AXIAL

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