NP160N04TDG-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：15750pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：带卷 (TR)
NP160N04TUG-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：15750pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：带卷 (TR)
NP160N04TUJ-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：带卷 (TR)
NP160N055TUJ-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：Digi-Reel®
NP160N055TUJ-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：带卷 (TR)
NP160N055TUJ-E1-AY详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
- 供应商设备封装：TO-263-7
- 包装：剪切带 (CT)
- 光纤 Industrial Fiberoptics FIBER OPT 1MM ACRYL RED 1 METER
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-8 IC OPAMP GP R-R 90KHZ SOT23-8
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 536K OHM METAL FILM .50W 1%
- TVS - 二极管 Comchip Technology DO-204AC，DO-15，轴向 TVS 600W 10V 5% UNIDIR DO-15
- TVS - 二极管 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 TVS ZENER DUAL 8.2V SC89
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-8 IC OPAMP GP R-R 90KHZ SOT23-8
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 560K OHM METAL FILM .50W 1%
- TVS - 二极管 ON Semiconductor T-18，轴向 TVS ZENER UNIDIR 600W 10V AXIAL
- 尖端，喷嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盘 NOZZLE QUAD 22MM X 22MM
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
- 光纤 Industrial Fiberoptics FIBER OPT 1.5MM POLY AMBER 50M
19166203057 
0512-67241533 
010-62962871、 
13717008271 
0755-23612148 
0755-83747144 
0755-82568894 
0755-82561519 
0755-22929859 
0755-88917652 
0755-18503085 
0755-82563615 
15112667855 
15914072177 
0755-89697985 
